Samsung приступила к массовому производству 16-Гбит NAND-флэш.

Komaric · 03.05.2007, 00:38

Свежим пресс-релизом южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 16-Гбит чипов флэш-памяти NAND-типа с нормами производства 51-нм:

51-нм 16-Гбит NAND-флэш от Samsung

Конкуренты компании не могут похвастаться освоением в промышленных масштабах столь передовых технологических норм. По словам Samsung, самые умелые из них готовы выпускать сегодня флэш-память по 55-нм техпроцессу. Впрочем, это не даёт компании причин успокаиваться. По внедрению самых передовых техпроцессов нагнать Samsung грозит тандем Intel-Micron. В недрах основанного год назад совместного предприятия этих двух компаний вызрела и довольно близка к внедрению аналогичная компании Samsung разработка – 16-Гбит с применением технологии MLC 50-нм чип NAND-флэш.
Кстати, о MLC или многоуровневой записи в ячейку. Технологии записи двух бит в каждую ячейку памяти имеет один главный недостаток – скорость чтения из однобитной ячейки примерно вдвое выше чем из двухбитной, а скорости записи отличается и того больше – до трёх раз. Компания Samsung вдвое подняла скорости записи/чтения для своих чипов MLC простым способом – она вдвое увеличила размер страницы или пакета считываемого в одной команде (с 2 КБ до 4 КБ). Скорость передачи данных для 51-нм 16-Гбит чипов составила, таким образом, 30 МБ/с в режиме чтения и 8 МБ/с в режиме записи. Однобитные 60-нм чипы компании, для сравнения, для соответствующих режимов имеют следующие характеристики: 33 МБ/с и 13 МБ/с.
Переход на 4-КБ страницы позволит компании не только снизить цену на флэш-винчестеры, а до сих пор для SSD в основном использовалась однобитная флэш-память ввиду её лучшего быстродействия, но и оптимизировать флэш-накопители к требованиям Windows Vista. При чтении данных из энергонезависимой памяти заложенные в Vista флэш-технологии оперируют как раз 4-КБ блоками. Контроллеры флэш-карт и MP3-ориентированных DSP уже поддерживают работу с 4-КБ страницами, заявляет Samsung. Так что для перехода на новую флэш-память достаточно сменить микрокод в соответствующих устройствах.

03.05.2007, 00:38	#1
Komaric Местный Регистрация: 26.09.2006 Сообщений: 181 Возраст: 22 Репутация: 80	Samsung приступила к массовому производству 16-Гбит NAND-флэш. Свежим пресс-релизом южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 16-Гбит чипов флэш-памяти NAND-типа с нормами производства 51-нм: 51-нм 16-Гбит NAND-флэш от Samsung Конкуренты компании не могут похвастаться освоением в промышленных масштабах столь передовых технологических норм. По словам Samsung, самые умелые из них готовы выпускать сегодня флэш-память по 55-нм техпроцессу. Впрочем, это не даёт компании причин успокаиваться. По внедрению самых передовых техпроцессов нагнать Samsung грозит тандем Intel-Micron. В недрах основанного год назад совместного предприятия этих двух компаний вызрела и довольно близка к внедрению аналогичная компании Samsung разработка – 16-Гбит с применением технологии MLC 50-нм чип NAND-флэш. Кстати, о MLC или многоуровневой записи в ячейку. Технологии записи двух бит в каждую ячейку памяти имеет один главный недостаток – скорость чтения из однобитной ячейки примерно вдвое выше чем из двухбитной, а скорости записи отличается и того больше – до трёх раз. Компания Samsung вдвое подняла скорости записи/чтения для своих чипов MLC простым способом – она вдвое увеличила размер страницы или пакета считываемого в одной команде (с 2 КБ до 4 КБ). Скорость передачи данных для 51-нм 16-Гбит чипов составила, таким образом, 30 МБ/с в режиме чтения и 8 МБ/с в режиме записи. Однобитные 60-нм чипы компании, для сравнения, для соответствующих режимов имеют следующие характеристики: 33 МБ/с и 13 МБ/с. Переход на 4-КБ страницы позволит компании не только снизить цену на флэш-винчестеры, а до сих пор для SSD в основном использовалась однобитная флэш-память ввиду её лучшего быстродействия, но и оптимизировать флэш-накопители к требованиям Windows Vista. При чтении данных из энергонезависимой памяти заложенные в Vista флэш-технологии оперируют как раз 4-КБ блоками. Контроллеры флэш-карт и MP3-ориентированных DSP уже поддерживают работу с 4-КБ страницами, заявляет Samsung. Так что для перехода на новую флэш-память достаточно сменить микрокод в соответствующих устройствах. __________________ Не говорите что мне делать, и я не скажу куда вам идти! Цитата

Опции темы
Версия для печати Отправить по электронной почте
Опции просмотра
Линейный вид Комбинированный вид Древовидный вид

Здесь присутствуют: 1 (пользователей: 0 , гостей: 1)